IPDQ60R017S7XTMA1
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IPDQ60R017S7XTMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$15.05

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SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
最大功耗
500W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
12V
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-1
封装 / 外壳
22-PowerBSOP Module
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
17mOhm @ 29A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 1.89mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
196 nC @ 12 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7370 pF @ 300 V