IPG20N04S4L18AATMA1
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IPG20N04S4L18AATMA1

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.58

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规格
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
配置
2 N-Channel (Dual)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15nC @ 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
40V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.2V @ 8µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
18mOhm @ 17A, 10V
供应商器件封装
PG-TDSON-8-10
最大功率
26W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1071pF @ 25V