IPP120N06S4H1AKSA2
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IPP120N06S4H1AKSA2

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
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MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-220-3
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
270 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
120A (Tc)
最大功耗
250W (Tc)
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 200µA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
2.4mOhm @ 100A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
21900 pF @ 25 V