IPT60R055CFD7XTMA1
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IPT60R055CFD7XTMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$7.68

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SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
67 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
44A (Tc)
最大功耗
236W (Tc)
封装 / 外壳
8-PowerSFN
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 760µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2721 pF @ 400 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
55mOhm @ 15.1A, 10V