IRGP20B120UD-EP
  • image of IRGP20B120UD-EP

IRGP20B120UD-EP

分类：
-
制造商：
描述：
IGBT NPT 1200V 40A TO-247AD
封装：
包装：
Bag
RoHS：
YES

请求报价

库存 1600

对价格不满意？请在下方填写信息快速发送 RFQ，我们将立即回应

相似型号
FGHL25T120RWD
onsemi
1200V, 25A TRENCH FIELD STOP VII
STGWA30IH160DF2
STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP 1600 V, 3
MIZ75N65AH2Y-BP
IGBT DISCRETE,TO-247-4
GH50H65DRB2-7AG
STMicroelectronics
IGBT
GWA75H65DRFB2AG
STMicroelectronics
IGBT
RJH60D1DPP-A0#T2
Renesas Electronics Corporation
POWER TRANSISTOR IGBT 600V 10A
NGW75T65M3DFPQ
Nexperia USA Inc.
NGW75T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3
NGW75T65H3DFPQ
Nexperia USA Inc.
NGW75T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3
NGW40T65H3DHPQ
Nexperia USA Inc.
NGW40T65H3DHP/SOT429-2/TO247-3
NGW30T65M3DFPQ
Nexperia USA Inc.
NGW30T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3
规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-247-3
集电极电流（Ic）（最大值）
40 A
输入类型
Standard
电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
1200 V
供应商器件封装
TO-247AD
导通/关断时间 (Td) @ 25°C
-
集电极脉冲电流 (Icm)
120 A
IGBT类型
NPT
最大功率
300 W
反向恢复时间
300 ns
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
4.85V @ 15V, 40A
开关能量
850µJ (on), 425µJ (off)
栅极电荷
169 nC
测试条件
600V, 20A, 5Ohm, 15V