ISC012N04NM7VATMA1
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ISC012N04NM7VATMA1

分类：
-
制造商：
描述：
ISC012N04NM7VATMA1
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$2.16

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
56 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V, 15V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3000 pF @ 20 V
供应商器件封装
PG-TDSON-8
最大功耗
3W (Ta), 115W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
35A (Ta), 219A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.15mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.15V @ 46µA