IXTP86N20X4
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IXTP86N20X4

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO220
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$11.21

请求报价

库存 1626

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-220-3
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
供应商器件封装
TO-220
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
70 nC @ 10 V
最大功耗
300W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
13mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4.5V @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2250 pF @ 25 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
86A (Tc)