NTD5C648NLT4G
  • image of NTD5C648NLT4G

NTD5C648NLT4G

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$6.14

请求报价

库存 2738

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17 nC @ 10 V
供应商器件封装
DPAK
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2900 pF @ 30 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
4.1mOhm @ 45A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
22A (Ta), 91A (Tc)
最大功耗
4.4W (Ta), 76W (Tc)