PHB11N06LT,118
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PHB11N06LT,118

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 1mA
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
330 pF @ 25 V
漏极至源极电压 (Vdss)
55 V
供应商器件封装
D2PAK
最大栅源电压
±15V
最大功耗
33W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
10.3A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
130mOhm @ 5.5A, 10V