QS8M13TCR
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QS8M13TCR

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
配置
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏极至源极电压 (Vdss)
30V
最大功率
1.5W
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
28mOhm @ 6A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.5nC @ 5V
封装 / 外壳
8-SMD, Flat Leads
供应商器件封装
TSMT8
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A, 5A
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
390pF @ 10V