R6004ENJTL
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R6004ENJTL

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.87

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库存 1600

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
250 pF @ 25 V
最大功耗
40W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 1mA
供应商器件封装
LPTS
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
980mOhm @ 1.5A, 10V