R6530ENXC7G
  • image of R6530ENXC7G

R6530ENXC7G

分类:
-
制造商:
描述:
650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$4.28

请求报价

库存 2313

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
封装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2100 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
90 nC @ 10 V
最大功耗
86W (Tc)
供应商器件封装
TO-220FM
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 960µA