RD3N07BBHTL1
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RD3N07BBHTL1

分类:
-
制造商:
描述:
NCH 80V 105A, TO-252, POWER MOSF
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$3.83

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库存 1600

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
46 nC @ 10 V
最大功耗
89W (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 1mA
供应商器件封装
TO-252
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3280 pF @ 40 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
105A (Ta), 70A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
4.4mOhm @ 70A, 10V