RQ3E100MNTB1
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RQ3E100MNTB1

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$0.52

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库存 1600

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规格
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
零件状态
Not For New Designs
工作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
最大功耗
2W (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
10A (Ta)
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
520 pF @ 15 V
供应商器件封装
8-HSMT (3.2x3)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
12.3mOhm @ 10A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
9.9 nC @ 10 V