RW1A025APT2CR
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RW1A025APT2CR

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

请求报价

库存 1600

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
场效应晶体管类型
P-Channel
工作温度
150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
最大功耗
400mW (Ta)
封装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
漏极至源极电压 (Vdss)
12 V
最大栅源电压
-8V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 1mA
供应商器件封装
6-WEMT
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
62mOhm @ 2.5A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2000 pF @ 6 V