SCTW60N120G2
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SCTW60N120G2

分类:
-
制造商:
描述:
DISCRETE
封装:
包装:
Bulk
RoHS:
YES
价格:
$20.38

请求报价

库存 2199

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
5V @ 1mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
18V
供应商器件封装
HiP247™
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
52mOhm @ 30A, 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1969 pF @ 800 V
最大栅源电压
+18V, -5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
94 nC @ 8 V
最大功耗
389W (Tc)