SI4890DY-T1-E3
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SI4890DY-T1-E3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装
8-SOIC
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
最大功耗
2.5W (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
最大栅源电压
±25V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20 nC @ 5 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
11A (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
800mV @ 250µA (Min)