SI7469DP-T1-E3
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SI7469DP-T1-E3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$2.6

请求报价

库存 20780

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
28A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
160 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装 / 外壳
PowerPAK® SO-8
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
25mOhm @ 10.2A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4700 pF @ 40 V
最大功耗
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)