SI7501DN-T1-GE3
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SI7501DN-T1-GE3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A PPAK 1212
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏极至源极电压 (Vdss)
30V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 10V
最大功率
1.6W
配置
N and P-Channel, Common Drain
封装 / 外壳
PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 Dual
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5.4A, 4.5A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
35mOhm @ 7.7A, 10V