SIA446DJ-T1-GE3
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SIA446DJ-T1-GE3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1

请求报价

库存 10477

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.5V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
150 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8 nC @ 10 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V, 10V
最大功耗
3.5W (Ta), 19W (Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6
封装 / 外壳
PowerPAK® SC-70-6
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
177mOhm @ 3A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
230 pF @ 75 V