SIL6321-TP
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SIL6321-TP

分类:
-
制造商:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 1A SOT23-6L
封装:
包装:
Bulk
RoHS:
YES

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库存 1600

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置
N and P-Channel
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1A
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
漏极至源极电压 (Vdss)
30V
最大功率
1W
封装 / 外壳
SOT-23-6
供应商器件封装
SOT-23-6L
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
320mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.4V @ 250µA, 1.3V @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1155pF @ 15V, 1050pF @ 15V