SISS98DN-T1-GE3
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SISS98DN-T1-GE3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.45

请求报价

库存 3520

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
最大功耗
57W (Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装 / 外壳
PowerPAK® 1212-8
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
7.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
14.1A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
105mOhm @ 7A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14 nC @ 7.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
608 pF @ 100 V