SPI20N60C3HKSA1
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SPI20N60C3HKSA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO262-3
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2400 pF @ 25 V
封装 / 外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
114 nC @ 10 V
最大功耗
208W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.9V @ 1mA
供应商器件封装
PG-TO262-3-1