SQJ264EP-T1_GE3
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SQJ264EP-T1_GE3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$2.18

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库存 5937

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)
60V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.5V @ 250µA
配置
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
封装 / 外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc), 54A (Tc)
最大功率
27W (Tc), 48W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
16nC @ 10V, 32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V