SQJA42EP-T1_GE3
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SQJA42EP-T1_GE3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.77

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1700 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
33 nC @ 10 V
最大功耗
27W (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.3V @ 250µA
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装 / 外壳
PowerPAK® SO-8
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
9.4mOhm @ 6A, 10V