SSM6N62TU,LF
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SSM6N62TU,LF

分类:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$0.74

请求报价

库存 14127

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
工作温度
150°C
漏极至源极电压 (Vdss)
20V
配置
2 N-Channel (Dual)
封装 / 外壳
6-SMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2nC @ 4.5V
供应商器件封装
UF6
场效应晶体管特性
Logic Level Gate, 1.2V Drive
最大功率
500mW (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
85mOhm @ 800mA, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
177pF @ 10V