STL20NM20N
STL20NM20N
  • image of STL20NM20N
  • image of STL20NM20N

STL20NM20N

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 200V 20A POWERFLAT
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

请求报价

库存 1600

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
50 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
800 pF @ 25 V
最大栅源电压
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
5V @ 250µA
最大功耗
80W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
105mOhm @ 10A, 10V
供应商器件封装
PowerFlat™ (5x6)
封装 / 外壳
8-PowerVDFN