TP65H300G4LSGB-TR
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TP65H300G4LSGB-TR

分类:
-
制造商:
-
描述:
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$4.6

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库存 4382

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
最大栅源电压
±12V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
封装 / 外壳
8-VDFN Exposed Pad
最大功耗
21W (Tc)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
730 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.8V @ 500µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V
供应商器件封装
8-PQFN (8x8)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
312mOhm @ 6.5A, 6V