UJ4C075033L8SSR
  • image of UJ4C075033L8SSR

UJ4C075033L8SSR

分类:
-
制造商:
描述:
750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
封装:
包装:
Bulk
RoHS:
YES

请求报价

库存 1600

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
最大功耗
205W (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
12V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
封装 / 外壳
8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
6V @ 10mA
漏极至源极电压 (Vdss)
750 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
37.8 nC @ 15 V
供应商器件封装
TOLL
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1400 pF @ 400 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
44A (Tj)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
41mOhm @ 230A, 12V